Flash-Partnerschaft trägt Früchte. Speicherspezialist Infineon steigt mit einem 512-MBit-Twinflash-Chip in den Flash-Speichermarkt ein. Die Technik für das Speichermodul wurde vom Infineon-Saifun-Joint-Venture Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG entwickelt.

Flash-Partnerschaft trägt Früchte

Das Joint Venture zwischen den beiden Speicher-Unternehmen Infineon Technologies und Saifun Semiconducturs trägt erste Früchte: Infineon bringt nun den ersten NAND-kompatiblen Flash-Chip auf Basis der von Infineon Technologies Flash entwickelten Twinflash-Technologie auf den Markt. Die ersten Produkte werden bereits in der Dresdner Infineon-200-Millimeter-DRAM-Fabrik produziert.

»Durch die Ergänzung um Flash-Produkte können wir unser Speicherproduktportfolio ausbauen und unsere Speicherproduktion nun flexibel zwischen DRAM und Flash aufteilen«, erklärt Harald Eggers, Leiter des Geschäftsbereiches für Speicherprodukte bei Infineon. »Die Twinflash-Technologie erlaubt uns die Produktion von Flash-Speichern auf vorhandenem Equipment aus der DRAM-Fertigung und damit den Einstieg in einen neuen Markt ohne wesentliche Investitionen in zusätzliche Produktionsanlagen.«

Twinflash basiert auf Saifuns NROM (Nitrided Read Only Memory)-Technologie, bei der zwei separate Bits in einer Transistorzelle gespeichert werden. Im Gegensatz zu vergleichbaren Floating-Gate-Technologien mit nur einem Bit pro Zelle bietet Twinflash auf Grund der Speichertechnik mit zwei Bits pro Zelle um 40 Prozent kleinere Chip-Abmessungen. Bis Ende 2004 sind mehr als 10.000 Wafer pro Monat auf Basis der 170-nm-Technologie geplant. Die nächste Twinflash-Generation mit Strukturen von nur 110-nm befindet sich bereits in Entwicklung.